雙向可控硅（TRIAC，Triode for Alternating Current）是一種特殊的半導體開關器件，能夠雙向控制交流電，廣泛應用于調光、調速、溫度控制等交流電路中。選型雙向可控硅需關注多個關鍵參數：額定通態電流（IT (RMS)）需大于負載*大有效值電流；斷態重復峰值電壓（VDRM）應高于電路*高峰值電壓，通常取 2-3 倍安全余量；門極觸發電流（IGT）和電壓（VGT）需與觸發電路匹配；關斷時間（toff）影響高頻應用性能。此外，還需考慮浪涌電流承受能力、結溫范圍等，確保在復雜工況下穩定工作。 可控硅模塊常用于燈光調光和加熱控制。半控可控硅

在整流電路中，可控硅的工作原理體現為對交流電的定向控制。以單相半控橋整流為例，交流正半周時，陽極受正向電壓的可控硅在觸發信號作用下導通，電流經負載形成回路；負半周時，反向并聯的二極管導通，可控硅因反向電壓阻斷。通過改變觸發信號出現的時刻（控制角），可調節可控硅的導通時間，從而改變輸出直流電壓的平均值。全控橋整流則利用四只可控硅，通過對稱觸發控制正負半周電流，實現全波整流。可控硅的單向導通和可控觸發特性，使整流電路既能實現電能轉換，又能靈活調節輸出，滿足不同負載需求。 低壓可控硅批發可控硅結構：陽極（A）、陰極(K)、門極(G)。

可控硅與三極管雖同屬半導體器件，工作原理差異明顯。三極管是電流控制元件，基極電流持續控制集電極電流，關斷需切斷基極電流；可控硅是觸發控制元件，觸發后控制極失效，關斷依賴外部條件。從結構看，三極管為三層結構，可控硅為四層結構，多一層PN結使其具備自鎖能力。電流放大特性上，三極管有線性放大區，可控硅則只有開關狀態，無放大功能。在電路應用中，三極管適用于信號放大和低頻開關，可控硅因功率容量大、開關特性穩定，更適合大功率控制，兩者工作原理的互補性使其在電子電路中各有側重。

雙向可控硅的工作原理突破了單向限制，能在正反兩個方向導通，其內部等效兩個反向并聯的單向可控硅。當T2接正向電壓、T1接反向電壓時，正向觸發信號使其正向導通；當電壓極性反轉，反向觸發信號可使其反向導通。在交流電路中，每個半周內電流方向改變，雙向可控硅通過交替觸發實現持續導通，電流過零時自動關斷。其觸發信號極性靈活，正負觸發均可生效，簡化了交流控制電路設計。這種雙向導通特性使其無需區分電壓極性，常用于燈光調光、交流電機調速等交流負載控制，工作原理的對稱性確保了交流控制的平滑性。 可控硅安裝時需注意扭矩均勻，避免基板變形。

可控硅模塊根據功能可分為單向（SCR）模塊和雙向（TRIAC）模塊，前者適用于直流或半波交流電路，后者則用于全波交流控制。按功率等級劃分，小功率模塊（如10A-50A）多采用TO-220或TO-247封裝，功率模塊（50A-300A）常為模塊化設計，而大功率模塊（500A以上）則采用平板壓接式結構，需搭配水冷散熱。選型時需重點考慮額定電壓（V_DRM）、電流（I_T(RMS)）、觸發電流（I_GT）以及散熱條件。例如，工業加熱系統通常選擇耐高溫的SCR模塊（如SEMIKRON SKT系列），而變頻器需選用高頻特性優異的快恢復模塊（如IXYS MCO系列）。 可控硅其單向導電性適合半波整流電路設計。智能可控硅公司哪家好

可控硅門極與陰極間并聯電阻可提高抗干擾性。半控可控硅

單向可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是**基礎的可控硅類型，其重要特點是只允許電流單向流動，即從陽極（A）到陰極（K）。這種器件通過門極（G）觸發后，只有在正向偏置條件下才能維持導通，反向時則完全阻斷。SCR廣泛應用于直流電路或交流半波整流，如電鍍電源、電池充電器等場景。典型型號如2N5060（1A/100V）和TYN612（12A/600V）。相比之下，雙向可控硅（TRIAC）可視為兩個反向并聯的SCR，能同時控制交流電的正負半周。這種特性使其成為交流調光、電機調速等應用的理想選擇，如BT136（4A/600V）和BTA41（40A/800V）。從結構上看，TRIAC雖然集成度更高，但其開關速度和dv/dt耐受能力通常略遜于SCR。 半控可控硅