（2）限幅電路在電子電路中，常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預置的電平范圍內，有選擇地傳輸一部分信號。大多數二極管都可作為限幅使用，但有些時候需要用到**限幅二極管，如保護儀表時。 [6]（3）穩壓電路在穩壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一種利用特殊工藝制造的面結型硅把半導體二極管，這種特殊二極管雜質濃度比較高，空間電荷區內的電荷密度大，容易形成強電場。當齊納二極管兩端反向電壓加到某一值，反向電流急增，產生反向擊穿。 [6]晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。黃浦區質量二極管報價
觸發二極管又稱雙向觸發二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只NPN晶體管如圖4連接來替代。觸發二極管雙向觸發二極管正、反向伏安特性幾乎完全對稱（見圖5；注意電壓是標量，電流是矢量）。當器件兩端所加電壓U低于正向轉折電壓V（B0）時，器件呈高阻態。當U>V(B0)時，管子擊穿導通進入負阻區。同樣當U小于反向轉折電壓V（BR）時，管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V（B）表示。虹口區如何二極管報價由N區引出的電極是負極，又叫陰極。
反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。 [5
發光二極管在很多領域得到普遍應用，下面介紹幾點其主要應用：（1）電子用品中的應用發光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發光二極管用作屏背光源。 [6]（2）汽車以及大型機械中的應用發光二極管在汽車以及大型機械中得到廣泛應用。汽車以及大型機械設備中的方向燈、車內照明、機械設備儀表照明、大前燈、轉向燈、剎車燈、尾燈等都運用了發光二極管。主要是因為發光二極管的響應快、使用壽命長（一般發光二極管的壽命比汽車以及大型機械壽命長）。 [6]二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開 [2]。
平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上*選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。**初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。負極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時，二極管導通， 加上反向電壓時，二極管截止。松江區如何二極管供應商
和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。黃浦區質量二極管報價
因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的空穴和N區的電子都往PN結方向移動，空穴和PN結P區的負離子中和，電子和PN結N區的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。 [6]黃浦區質量二極管報價
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