多晶硅超純水設(shè)備主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于去除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電,顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機(jī)膠體纖維等，會導(dǎo)致各種缺陷。針對多晶硅加工工藝需求和當(dāng)?shù)厮辞闆r，可采用工藝流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工藝流程，碩科環(huán)保采用國內(nèi)先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，確保系統(tǒng)設(shè)備產(chǎn)水達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。 碩科智能化超純水設(shè)備生產(chǎn)。食品加工超純水設(shè)備維護(hù)

    超純水設(shè)備的日常維護(hù)保養(yǎng)1.定期清洗濾芯超純水設(shè)備中的濾芯是水質(zhì)純凈的重要組成部分。定期清洗濾芯可以去除濾芯內(nèi)的雜質(zhì)和污垢，水質(zhì)的穩(wěn)定。一般情況下，濾芯的清洗周期為3-6個(gè)月，具體根據(jù)水質(zhì)情況和設(shè)備使用時(shí)間來確定。2.檢查水源和電源超純水設(shè)備的正常運(yùn)行需要穩(wěn)定的水源和電源。因此，定期檢查水源和電源的運(yùn)行情況是必要的。水源應(yīng)保持清潔，避免污染；電源要穩(wěn)定，避免電壓不穩(wěn)定對設(shè)備造成損壞。3.定期更換配件超純水設(shè)備中的一些配件，如O型圈、密封圈等，會隨著時(shí)間的推移而磨損或老化，導(dǎo)致設(shè)備泄漏或損壞。因此，定期更換這些配件是非常重要的。一般情況下，配件的更換周期為6個(gè)月至1年。4.清洗和消毒設(shè)備超純水設(shè)備的管道和儲水箱等部分容易滋生細(xì)菌和霉菌，影響水質(zhì)的純凈度。因此，定期清洗和消毒設(shè)備是必要的。清洗時(shí)，可使用專門的清洗劑和工具，注意不要損壞設(shè)備。消毒時(shí)，可使用紫外線燈照射或加入消毒劑，確保設(shè)備的衛(wèi)生。 碳酸鋰超純水設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)內(nèi)容液晶面板超純水設(shè)備系列。

    EDI超純水設(shè)備幾大性能優(yōu)勢。連續(xù)再生優(yōu)勢：連續(xù)再生替代了間歇式再生，這就不再需要備用離子交換設(shè)備。每個(gè)模塊都可以單獨(dú)進(jìn)行化學(xué)清洗，剩余的模塊可以承擔(dān)短期的高流量。啟動(dòng)/操作簡單：與混床的間歇式再生相比，不再需要再生操作；EDI超純水設(shè)備操作簡單，所需伐門少，同時(shí)也無須操作者花費(fèi)很大精力；操作只需簡單的分析和控制。模塊更換方便：模塊的一般壽命高于3-5年；備用模塊儲存方便。外面的鋁板能良好的保護(hù)模塊、管道和食品不受損壞。更換EDI超純水設(shè)備模塊簡單、快捷。產(chǎn)水純度更高：在進(jìn)水低于40us/cm時(shí)，產(chǎn)水一般超過10~15MΩ.cm(25℃)，不受產(chǎn)水量波動(dòng)的影響。回收率更高：如果水的硬度以CaCo3計(jì)小于1ppm時(shí)，回收率可達(dá)到90-95%；C室廢水的濃度約為300-400us/cm，排出時(shí)接近中性。該部分水可進(jìn)入前級RO系統(tǒng)再使用；如果水的硬度超過1ppm的CaCo3會在C室產(chǎn)生結(jié)垢，從而影響工作。在這種情況下，進(jìn)入EDI超純水設(shè)備之前的工藝要進(jìn)行調(diào)整以降低硬度。硬度較高的水源建議采用軟化器。占地面積小：EDI超純水設(shè)備系統(tǒng)與混床相比在相同流量處理能力的條件下占地面積要小的多，約為1/10。這種為客戶著想的設(shè)計(jì)是通過省去巨大的再生儲存和廢水中和系統(tǒng)而得以實(shí)現(xiàn)的。

    超純水設(shè)備的工藝流程為：1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水對象（≥18MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)。2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→μm精密過濾器→用水對象（≥18MΩ.CM）(新工藝)。3、預(yù)處理→一級反滲透→加藥機(jī)（PH調(diào)節(jié)）→中間水箱→第二級反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→μm精密過濾器→用水對象（≥17MΩ.CM）(新工藝)。4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→μm精密過濾器→用水對象（≥15MΩ.CM）(新工藝)。5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水對象（≥15MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)。 反滲透超純水設(shè)備廠家，支持定制上門安裝！

    太陽能電池片超純水設(shè)備。太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測--表面制絨及酸洗--擴(kuò)散制結(jié)--去磷硅玻璃--等離子刻蝕及酸洗--鍍減反射膜--絲網(wǎng)印刷--快速燒結(jié)等。在去磷硅玻璃工藝用于太陽能電池片生產(chǎn)制造過程中，通過化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴(kuò)散過程中，POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成，主要?jiǎng)恿υ从袣浞帷⒌獨(dú)狻嚎s空氣、純水，熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量，反應(yīng)生成的四氟化硅會進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。 石墨烯新材料超純水設(shè)備生產(chǎn)廠家。南京生物質(zhì)電廠超純水設(shè)備

超純水設(shè)備的應(yīng)用場景有哪些？食品加工超純水設(shè)備維護(hù)

    超純水設(shè)備制備工藝1、采用離子交換樹脂制備超純水的傳統(tǒng)水處理方式，其基本工藝流程為：原水→沙炭過濾器→精密過濾器→原水箱→陽床→陰床→混床(復(fù)床)→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)2、采用反滲透水處理設(shè)備與離子交換設(shè)備進(jìn)行組合的方式，其基本工藝流程為：原水→沙炭過濾器→精密過濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→混床(復(fù)床)→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)3、采用反滲透水處理設(shè)備與電去離子(EDI)設(shè)備進(jìn)行搭配的方式，這是一種制取超純水的新工藝，也是一種環(huán)保，經(jīng)濟(jì)，發(fā)展?jié)摿薮蟮某兯苽涔に嚕浠竟に嚵鞒虨椋涸程窟^濾器→精密過濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→電去離子(EDI)→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)。 食品加工超純水設(shè)備維護(hù)