多晶硅超純水設(shè)備主要用在多晶硅片清洗中,多晶硅片,半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于去除表面污染雜質(zhì),包括有機(jī)物和無機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài),有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等,引起嚴(yán)重漏電,顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機(jī)膠體纖維等,會導(dǎo)致各種缺陷。針對多晶硅加工工藝需求和當(dāng)?shù)厮辞闆r,可采用工藝流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工藝流程,碩科環(huán)保采用國內(nèi)先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,確保系統(tǒng)設(shè)備產(chǎn)水達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。 碩科智能化超純水設(shè)備生產(chǎn)。食品加工超純水設(shè)備維護(hù)
超純水設(shè)備的日常維護(hù)保養(yǎng)1.定期清洗濾芯超純水設(shè)備中的濾芯是水質(zhì)純凈的重要組成部分。定期清洗濾芯可以去除濾芯內(nèi)的雜質(zhì)和污垢,水質(zhì)的穩(wěn)定。一般情況下,濾芯的清洗周期為3-6個(gè)月,具體根據(jù)水質(zhì)情況和設(shè)備使用時(shí)間來確定。2.檢查水源和電源超純水設(shè)備的正常運(yùn)行需要穩(wěn)定的水源和電源。因此,定期檢查水源和電源的運(yùn)行情況是必要的。水源應(yīng)保持清潔,避免污染;電源要穩(wěn)定,避免電壓不穩(wěn)定對設(shè)備造成損壞。3.定期更換配件超純水設(shè)備中的一些配件,如O型圈、密封圈等,會隨著時(shí)間的推移而磨損或老化,導(dǎo)致設(shè)備泄漏或損壞。因此,定期更換這些配件是非常重要的。一般情況下,配件的更換周期為6個(gè)月至1年。4.清洗和消毒設(shè)備超純水設(shè)備的管道和儲水箱等部分容易滋生細(xì)菌和霉菌,影響水質(zhì)的純凈度。因此,定期清洗和消毒設(shè)備是必要的。清洗時(shí),可使用專門的清洗劑和工具,注意不要損壞設(shè)備。消毒時(shí),可使用紫外線燈照射或加入消毒劑,確保設(shè)備的衛(wèi)生。 碳酸鋰超純水設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)內(nèi)容液晶面板超純水設(shè)備系列。
EDI超純水設(shè)備幾大性能優(yōu)勢。連續(xù)再生優(yōu)勢:連續(xù)再生替代了間歇式再生,這就不再需要備用離子交換設(shè)備。每個(gè)模塊都可以單獨(dú)進(jìn)行化學(xué)清洗,剩余的模塊可以承擔(dān)短期的高流量。啟動(dòng)/操作簡單:與混床的間歇式再生相比,不再需要再生操作;EDI超純水設(shè)備操作簡單,所需伐門少,同時(shí)也無須操作者花費(fèi)很大精力;操作只需簡單的分析和控制。模塊更換方便:模塊的一般壽命高于3-5年;備用模塊儲存方便。外面的鋁板能良好的保護(hù)模塊、管道和食品不受損壞。更換EDI超純水設(shè)備模塊簡單、快捷。產(chǎn)水純度更高:在進(jìn)水低于40us/cm時(shí),產(chǎn)水一般超過10~15MΩ.cm(25℃),不受產(chǎn)水量波動(dòng)的影響。回收率更高:如果水的硬度以CaCo3計(jì)小于1ppm時(shí),回收率可達(dá)到90-95%;C室廢水的濃度約為300-400us/cm,排出時(shí)接近中性。該部分水可進(jìn)入前級RO系統(tǒng)再使用;如果水的硬度超過1ppm的CaCo3會在C室產(chǎn)生結(jié)垢,從而影響工作。在這種情況下,進(jìn)入EDI超純水設(shè)備之前的工藝要進(jìn)行調(diào)整以降低硬度。硬度較高的水源建議采用軟化器。占地面積小:EDI超純水設(shè)備系統(tǒng)與混床相比在相同流量處理能力的條件下占地面積要小的多,約為1/10。這種為客戶著想的設(shè)計(jì)是通過省去巨大的再生儲存和廢水中和系統(tǒng)而得以實(shí)現(xiàn)的。
超純水設(shè)備的工藝流程為:1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水對象(≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→μm精密過濾器→用水對象(≥18MΩ.CM)(新工藝)。3、預(yù)處理→一級反滲透→加藥機(jī)(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→μm精密過濾器→用水對象(≥17MΩ.CM)(新工藝)。4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→μm精密過濾器→用水對象(≥15MΩ.CM)(新工藝)。5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水對象(≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。 反滲透超純水設(shè)備廠家,支持定制上門安裝!
太陽能電池片超純水設(shè)備。太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程分為硅片檢測--表面制絨及酸洗--擴(kuò)散制結(jié)--去磷硅玻璃--等離子刻蝕及酸洗--鍍減反射膜--絲網(wǎng)印刷--快速燒結(jié)等。在去磷硅玻璃工藝用于太陽能電池片生產(chǎn)制造過程中,通過化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡,使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸,以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴(kuò)散過程中,POCL3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成SiO2和磷原子,這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2,稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成,主要?jiǎng)恿υ从袣浞帷⒌獨(dú)狻嚎s空氣、純水,熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量,反應(yīng)生成的四氟化硅會進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。 石墨烯新材料超純水設(shè)備生產(chǎn)廠家。南京生物質(zhì)電廠超純水設(shè)備
超純水設(shè)備的應(yīng)用場景有哪些?食品加工超純水設(shè)備維護(hù)
超純水設(shè)備制備工藝1、采用離子交換樹脂制備超純水的傳統(tǒng)水處理方式,其基本工藝流程為:原水→沙炭過濾器→精密過濾器→原水箱→陽床→陰床→混床(復(fù)床)→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)2、采用反滲透水處理設(shè)備與離子交換設(shè)備進(jìn)行組合的方式,其基本工藝流程為:原水→沙炭過濾器→精密過濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→混床(復(fù)床)→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)3、采用反滲透水處理設(shè)備與電去離子(EDI)設(shè)備進(jìn)行搭配的方式,這是一種制取超純水的新工藝,也是一種環(huán)保,經(jīng)濟(jì),發(fā)展?jié)摿薮蟮某兯苽涔に嚕浠竟に嚵鞒虨椋涸程窟^濾器→精密過濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→電去離子(EDI)→純水箱→純水泵→后置精密過濾器→用水點(diǎn)。 食品加工超純水設(shè)備維護(hù)
超純水設(shè)備,能為企業(yè)做哪些事,可以幫助企業(yè)提升哪些效率呢?工業(yè)EDI純水設(shè)備,可以支撐企業(yè)的高效生產(chǎn)...
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【詳情】一、超純水對芯片生產(chǎn)的重要性1.水質(zhì)要求極高:芯片行業(yè)在生產(chǎn)過程中對于用水水質(zhì)的要求極高,所用超純水...
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