MEMS制作工藝柔性電子的常用材料：

碳納米管（CNT）由于其高的本征載流子遷移率，導(dǎo)電性和機(jī)械靈活性而成為用于柔性電子學(xué)的有前途的材料，既作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中的溝道材料又作為透明電極。管狀碳基納米結(jié)構(gòu)可以被設(shè)想成石墨烯卷成一個(gè)無縫的圓柱體，它們獨(dú)特的性質(zhì)使其成為理想的候選材料。因?yàn)樗鼈兙哂懈叩墓逃休d流子遷移率和電導(dǎo)率，機(jī)械靈活性以及低成本生產(chǎn)的潛力。另一方面，薄膜基碳納米管設(shè)備為實(shí)現(xiàn)商業(yè)化提供了一條實(shí)用途徑。 MEMS器件制造工藝更偏定制化。新疆代理MEMS微納米加工

高精度姿態(tài)/軌道測(cè)量新方法并研制了MEMS磁敏感器、MIMU慣性微系統(tǒng)、MEMS太陽敏感器、納\皮型星敏感器等空間微系統(tǒng)，相關(guān)成果填補(bǔ)了多項(xiàng)國(guó)內(nèi)空白，已在探月工程、高分專項(xiàng)等國(guó)家重大工程以及國(guó)內(nèi)外百余顆型號(hào)衛(wèi)星中得到應(yīng)用推廣，并實(shí)現(xiàn)了出口歐、美、日等國(guó)。在我國(guó)率先開展了微納航天器的技術(shù)創(chuàng)新與工程實(shí)踐，將三軸穩(wěn)定方式用于25kg以下的微小衛(wèi)星，成功研制并運(yùn)行了國(guó)內(nèi)納型衛(wèi)星NS-1衛(wèi)星，也是當(dāng)時(shí)世界上在軌飛行的“輪控三軸穩(wěn)定衛(wèi)星”（2004年）。2015年研制并發(fā)射了NS-2（10公斤量級(jí)）MEMS技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星，成功開展了基于MEMS的空間微型化器組件試驗(yàn)研究。NS-2衛(wèi)星的有效載荷包括納型星敏感器、低功耗MEMS太陽敏感器、硅基MEMS陀螺、MEMS石英音叉陀螺、MEMS磁強(qiáng)計(jì)、北斗-II/GPS接收機(jī)等自主研發(fā)的MEMS器件及微系統(tǒng)。同時(shí)還成功研制并發(fā)射皮型ZJ-1（100克量級(jí)）MEMS技術(shù)試驗(yàn)衛(wèi)星，采用單板集成的綜合電子系統(tǒng)，搭載試驗(yàn)商用微型CMOS相機(jī)，MEMS磁強(qiáng)計(jì)、新型商用電子元器件。江蘇MEMS微納米加工發(fā)展趨勢(shì)MEMS的柔性電極是什么？

MEMS特點(diǎn)：

1.微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低、慣性小、諧振頻率高、響應(yīng)時(shí)間短。

2.以硅為主要材料，機(jī)械電器性能優(yōu)良：硅的強(qiáng)度、硬度和楊氏模量與鐵相當(dāng)，密度類似鋁，熱傳導(dǎo)率接近鉬和鎢。

3.批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時(shí)制造成百上千個(gè)微型機(jī)電裝置或完整的MEMS。批量生產(chǎn)可降低生產(chǎn)成本。

4.集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動(dòng)方向的多個(gè)傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執(zhí)行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩(wěn)定性很高的MEMS。

5.多學(xué)科交叉：MEMS涉及電子、機(jī)械、材料、制造、信息與自動(dòng)控制、物理、化學(xué)和生物等多種學(xué)科，并集約了當(dāng)今科學(xué)技術(shù)發(fā)展的許多成果。

微機(jī)電系統(tǒng)是微米大小的機(jī)械系統(tǒng)，其中也包括不同形狀的三維平板印刷產(chǎn)生的系統(tǒng)。這些系統(tǒng)的大小一般在微米到毫米之間。在這個(gè)大小范圍中日常的物理經(jīng)驗(yàn)往往不適用。比如由于微機(jī)電系統(tǒng)的面積對(duì)體積比比一般日常生活中的機(jī)械系統(tǒng)要大得多，其表面現(xiàn)象如靜電、潤(rùn)濕等比體積現(xiàn)象如慣性或熱容量等要重要。它們一般是由類似于生產(chǎn)半導(dǎo)體的技術(shù)如表面微加工、體型微加工等技術(shù)制造的。其中包括更改的硅加工方法如光刻、磁控濺射PVD、氣相沉積CVD、電鍍、濕蝕刻、ICP干蝕刻、電火花加工等等。MEMS技術(shù)的主要分類有哪些？

MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕：在半導(dǎo)體制程中，單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優(yōu)劣，各有特點(diǎn)。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達(dá)到刻蝕的目的。因?yàn)闈穹涛g是利用化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜的去除，而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性，因此濕法刻蝕過程為等向性。濕法刻蝕過程可分為三個(gè)步驟:1)化學(xué)刻蝕液擴(kuò)散至待刻蝕材料之表面;2)刻蝕液與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng);3)反應(yīng)后之產(chǎn)物從刻蝕材料之表面擴(kuò)散至溶液中，并隨溶液排出。

濕法刻蝕之所以在微電子制作過程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的刻蝕選擇比等優(yōu)點(diǎn)。但相對(duì)于干法刻蝕，除了無法定義較細(xì)的線寬外，濕法刻蝕仍有以下的缺點(diǎn):1) 需花費(fèi)較高成本的反應(yīng)溶液及去離子水:2) 化學(xué)藥品處理時(shí)人員所遭遇的安全問題:3) 光刻膠掩膜附著性問題;4) 氣泡形成及化學(xué)腐蝕液無法完全與晶片表面接觸所造成的不完全及不均勻的刻蝕 基于MEMS技術(shù)的SAW器件是什么？福建高科技MEMS微納米加工

MEMS被認(rèn)為是21世紀(jì)很有前途的技術(shù)之一。新疆代理MEMS微納米加工

基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理：

聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介，然后通過外加一正電壓產(chǎn)生聲波，并通過襯底進(jìn)行傳播，然后轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。聲表面波傳感器中起主導(dǎo)作用的主要是壓電效應(yīng)，其設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮多種因素:如相對(duì)尺寸、敏感性、效率等。一般地，無線無源聲表面波傳感器的信號(hào)頻率范圍從40MHz 到幾個(gè)GHz。圖2 所示為聲表面波傳感器常見的結(jié)構(gòu)，主要部分包括壓電襯底天線、敏感薄膜、IDT等 。傳感器的敏感層通過改變聲表面波的速度來實(shí)現(xiàn)頻率的變化。

無線無源聲表面波系統(tǒng)包:發(fā)射器、接收器、聲表面波器件、通信頻道。發(fā)射器和接收器組合成收發(fā)器或者解讀器的單一模塊。圖3為聲表面波系統(tǒng)及其相互關(guān)聯(lián)的基礎(chǔ)部件。解讀器將功率傳送給聲表面波器件，該功率可以是收發(fā)器輸入的連續(xù)波，脈沖或者喝啾 。一般地，聲表面波器件獲得 的功率大小具有一定限制，以降低發(fā)射功率，從而得到相同平均功率的喝啾 。根據(jù)各向同性的輻射體，接收的信號(hào)一般能通過高效的輻射功率天線發(fā)射。 新疆代理MEMS微納米加工