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MEMS微納米加工基本參數(shù)
  • 品牌
  • 勃望初芯半導(dǎo)體
  • 型號(hào)
  • MEMS微納米加工
MEMS微納米加工企業(yè)商機(jī)

MEA柔性電極:MEMS工藝開(kāi)發(fā)的MEA(微電極陣列)柔性電極,是腦機(jī)接口(BCI)與類(lèi)***電生理研究的**技術(shù)載體。該電極采用超薄柔性基底材料(如聚酰亞胺或PDMS),厚度可精細(xì)控制在10-50微米范圍內(nèi),表面通過(guò)光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機(jī)接口領(lǐng)域,柔性電極通過(guò)微創(chuàng)手術(shù)植入大腦皮層,用于癲癇病灶的精細(xì)定位與閉環(huán)電刺激***。在類(lèi)***研究中,電極陣列與腦類(lèi)***共培養(yǎng)系統(tǒng)結(jié)合,可長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的自發(fā)電活動(dòng)與突觸可塑性變化,為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數(shù)據(jù)。此外,公司開(kāi)發(fā)的“仿生褶皺結(jié)構(gòu)”柔性電極,通過(guò)力學(xué)匹配設(shè)計(jì)進(jìn)一步降低植入后的機(jī)械應(yīng)力,延長(zhǎng)器件使用壽命至少5年以上。微流控與金屬片電極鑲嵌工藝,解決流道與電極集成的接觸電阻問(wèn)題并提升檢測(cè)穩(wěn)定性。中國(guó)臺(tái)灣MEMS微納米加工發(fā)展現(xiàn)狀

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MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線(xiàn)與封裝技術(shù):

太赫茲波是天文探測(cè)領(lǐng)域的重要波段,太赫茲波探測(cè)對(duì)提升人類(lèi)認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測(cè)設(shè)備。天線(xiàn)及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當(dāng)前,太赫茲超導(dǎo)接收機(jī)多采用單獨(dú)的金屬喇叭天線(xiàn)和金屬封裝,很難進(jìn)行高集成度陣列擴(kuò)展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機(jī)發(fā)展很大程度受到天線(xiàn)及芯片封裝技術(shù)的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線(xiàn),及該天線(xiàn)與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過(guò)電磁場(chǎng)理論分析、電磁場(chǎng)數(shù)值建模與仿真、低溫超導(dǎo)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證等手段, 哪些是MEMS微納米加工電話(huà)MEMS微納米加工的未來(lái)發(fā)展是什么?

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MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類(lèi)型,而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合,利用各種慣性傳感器的特性,立體運(yùn)動(dòng)的檢測(cè)。組合慣性傳感器的一個(gè)被廣為熟悉的應(yīng)用領(lǐng)域就是慣性導(dǎo)航,比如飛機(jī)/導(dǎo)彈飛行控制、姿態(tài)控制、偏航阻尼等控制應(yīng)用、以及中程導(dǎo)彈制導(dǎo)、慣性GPS導(dǎo)航等制導(dǎo)應(yīng)用。

慣性傳感器分為兩大類(lèi):一類(lèi)是角速率陀螺;另一類(lèi)是線(xiàn)加速度計(jì)。角速率陀螺又分為:機(jī)械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑氣浮角速率陀螺;撓性角速率陀螺;MEMS硅﹑石英角速率陀螺(含半球諧振角速率陀螺等);光纖角速率陀螺;激光角速率陀螺等。線(xiàn)加速度計(jì)又分為:機(jī)械式線(xiàn)加速度計(jì);撓性線(xiàn)加速度計(jì);MEMS硅﹑石英線(xiàn)加速度計(jì)(含壓阻﹑壓電線(xiàn)加速度計(jì));石英撓性線(xiàn)加速度計(jì)等。

熱敏柔性電極的PI三明治結(jié)構(gòu)加工技術(shù):熱敏柔性電極采用PI(聚酰亞胺)三明治結(jié)構(gòu),底層PI作為柔性基板,中間層為金屬電極,上層PI實(shí)現(xiàn)絕緣保護(hù),開(kāi)窗漏出Pad引線(xiàn)位置,兼具柔韌性與電學(xué)性能。加工過(guò)程中,首先在25μm厚度的PI基板上通過(guò)濺射沉積5μm厚度的銅/金電極層,利用光刻膠作為掩膜進(jìn)行濕法刻蝕,形成10-50μm寬度的電極圖案,線(xiàn)條邊緣粗糙度<1μm;然后涂覆10μm厚度的PI絕緣層,通過(guò)激光切割開(kāi)設(shè)引線(xiàn)窗口,窗口定位精度±5μm;***經(jīng)300℃高溫亞胺化處理,提升層間結(jié)合力(剝離強(qiáng)度>10N/cm)。該電極的彎曲半徑可達(dá)5mm,耐彎折次數(shù)>10萬(wàn)次,表面電阻<5Ω/□,適用于可穿戴體溫監(jiān)測(cè)、心率傳感器等設(shè)備。在醫(yī)療領(lǐng)域,用于術(shù)后傷口熱敷的柔性加熱電極,可通過(guò)調(diào)節(jié)輸入電壓實(shí)現(xiàn)37-42℃精細(xì)控溫,溫度均勻性誤差<±0.5℃,避免局部過(guò)熱損傷組織。公司支持電極圖案的個(gè)性化設(shè)計(jì),可集成熱電偶、NTC熱敏電阻等傳感器,實(shí)現(xiàn)“感知-驅(qū)動(dòng)”一體化,推動(dòng)柔性電子技術(shù)在醫(yī)療健康與智能設(shè)備中的廣泛應(yīng)用。MEMS的超材料介紹與講解。

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基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理:

聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介,然后通過(guò)外加一正電壓產(chǎn)生聲波,并通過(guò)襯底進(jìn)行傳播,然后轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。聲表面波傳感器中起主導(dǎo)作用的主要是壓電效應(yīng),其設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮多種因素:如相對(duì)尺寸、敏感性、效率等。一般地,無(wú)線(xiàn)無(wú)源聲表面波傳感器的信號(hào)頻率范圍從40MHz到幾個(gè)GHz。圖2所示為聲表面波傳感器常見(jiàn)的結(jié)構(gòu),主要部分包括壓電襯底天線(xiàn)、敏感薄膜、IDT等。傳感器的敏感層通過(guò)改變聲表面波的速度來(lái)實(shí)現(xiàn)頻率的變化。

無(wú)線(xiàn)無(wú)源聲表面波系統(tǒng)包:發(fā)射器、接收器、聲表面波器件、通信頻道。發(fā)射器和接收器組合成收發(fā)器或者解讀器的單一模塊。圖3為聲表面波系統(tǒng)及其相互關(guān)聯(lián)的基礎(chǔ)部件。解讀器將功率傳送給聲表面波器件,該功率可以是收發(fā)器輸入的連續(xù)波,脈沖或者喝啾。一般地,聲表面波器件獲得的功率大小具有一定限制,以降低發(fā)射功率,從而得到相同平均功率的喝啾。根據(jù)各向同性的輻射體,接收的信號(hào)一般能通過(guò)高效的輻射功率天線(xiàn)發(fā)射。 熱壓印技術(shù)支持 PMMA/COC 等材料微結(jié)構(gòu)快速成型,較注塑工藝縮短工期并降低成本。中國(guó)臺(tái)灣MEMS微納米加工發(fā)展現(xiàn)狀

MEMS的繼電器與開(kāi)關(guān)是什么?中國(guó)臺(tái)灣MEMS微納米加工發(fā)展現(xiàn)狀

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn):

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長(zhǎng),它們各自比相應(yīng)的電磁波的傳播速度的波長(zhǎng)小十萬(wàn)倍。在VHF和UHF波段內(nèi),電磁波器件的尺寸是與波長(zhǎng)相比擬的。同理,作為電磁器件的聲學(xué)模擬聲表面波器件SAW,它的尺寸也是和信號(hào)的聲波波長(zhǎng)相比擬的。因此,在同一頻段上,聲表面波器件的尺寸比相應(yīng)電磁波器件的尺寸減小了很多,重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面?zhèn)鞑ィ由蟼鞑ニ俣葮O慢,這使得時(shí)變信號(hào)在給定瞬時(shí)可以完全呈現(xiàn)在晶體基片表面上。于是當(dāng)信號(hào)在器件的輸入和輸出端之間行進(jìn)時(shí),就容易對(duì)信號(hào)進(jìn)行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性,使它能以非常簡(jiǎn)單的方式去。完成其它技術(shù)難以完成或完成起來(lái)過(guò)于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝,以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底,通過(guò)光刻(含EBL光刻)、鍍膜等微納米加工技術(shù),實(shí)現(xiàn)的SAW器件,在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。 中國(guó)臺(tái)灣MEMS微納米加工發(fā)展現(xiàn)狀

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