太赫茲柔性電極的雙面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與加工:太赫茲柔性電極以PI為基底,采用雙面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),上層實(shí)現(xiàn)太赫茲波發(fā)射/接收,下層集成信號(hào)處理電路,解決了傳統(tǒng)剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括:首先在雙面拋光的PI基板上,利用電子束光刻制備亞微米級(jí)金屬天線陣列(如蝴蝶結(jié)、螺旋結(jié)構(gòu)),特征尺寸達(dá)500nm,周期1-2μm,實(shí)現(xiàn)對(duì)0.1-1THz頻段的高效耦合;背面通過薄膜沉積技術(shù)制備氮化硅絕緣層,濺射銅箔形成共面波導(dǎo)傳輸線,線寬控制精度±10nm,特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度<50μm,彎曲狀態(tài)下信號(hào)衰減<3dB,適用于人體安檢、非金屬材料檢測(cè)等場(chǎng)景。在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,太赫茲柔性電極可非侵入式檢測(cè)皮膚水分含量,分辨率達(dá)0.1%,檢測(cè)時(shí)間<1秒,較傳統(tǒng)電阻法精度提升5倍。公司開發(fā)的納米壓印技術(shù)實(shí)現(xiàn)了天線陣列的低成本復(fù)制,單晶圓(4英寸)產(chǎn)能達(dá)1000片以上,良率>85%,推動(dòng)太赫茲技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向便攜式設(shè)備,為無損檢測(cè)與生物傳感提供了全新維度的解決方案。超聲芯片封裝采用三維堆疊技術(shù),縮小尺寸 40% 并提升信噪比至 73.5dB,優(yōu)化成像質(zhì)量。發(fā)展MEMS微納米加工加工廠
熱敏柔性電極的PI三明治結(jié)構(gòu)加工技術(shù):熱敏柔性電極采用PI(聚酰亞胺)三明治結(jié)構(gòu),底層PI作為柔性基板,中間層為金屬電極,上層PI實(shí)現(xiàn)絕緣保護(hù),開窗漏出Pad引線位置,兼具柔韌性與電學(xué)性能。加工過程中,首先在25μm厚度的PI基板上通過濺射沉積5μm厚度的銅/金電極層,利用光刻膠作為掩膜進(jìn)行濕法刻蝕,形成10-50μm寬度的電極圖案,線條邊緣粗糙度<1μm;然后涂覆10μm厚度的PI絕緣層,通過激光切割開設(shè)引線窗口,窗口定位精度±5μm;***經(jīng)300℃高溫亞胺化處理,提升層間結(jié)合力(剝離強(qiáng)度>10N/cm)。該電極的彎曲半徑可達(dá)5mm,耐彎折次數(shù)>10萬次,表面電阻<5Ω/□,適用于可穿戴體溫監(jiān)測(cè)、心率傳感器等設(shè)備。在醫(yī)療領(lǐng)域,用于術(shù)后傷口熱敷的柔性加熱電極,可通過調(diào)節(jié)輸入電壓實(shí)現(xiàn)37-42℃精細(xì)控溫,溫度均勻性誤差<±0.5℃,避免局部過熱損傷組織。公司支持電極圖案的個(gè)性化設(shè)計(jì),可集成熱電偶、NTC熱敏電阻等傳感器,實(shí)現(xiàn)“感知-驅(qū)動(dòng)”一體化,推動(dòng)柔性電子技術(shù)在醫(yī)療健康與智能設(shè)備中的廣泛應(yīng)用。貴州MEMS微納米加工生物芯片弧形柱子點(diǎn)陣加工技術(shù)通過激光直寫與刻蝕實(shí)現(xiàn)仿生結(jié)構(gòu),優(yōu)化細(xì)胞黏附與流體動(dòng)力學(xué)特性。
金屬流道PDMS芯片與PET基板的鍵合工藝:金屬流道PDMS芯片通過與帶有金屬結(jié)構(gòu)的PET基板鍵合,實(shí)現(xiàn)柔性微流控芯片與剛性電路的集成,兼具流體處理與電信號(hào)控制功能。鍵合前,PDMS流道采用氧等離子體活化處理(功率100W,時(shí)間30秒),使表面羥基化;PET基板通過電暈處理提升表面能,濺射1μm厚度的銅層并蝕刻形成電極圖案。鍵合過程在真空環(huán)境下進(jìn)行,施加0.5MPa壓力并保持30分鐘,形成化學(xué)共價(jià)鍵,剝離強(qiáng)度>5N/cm。金屬流道內(nèi)的電解液與外部電路通過鍵合區(qū)的Pad連接,接觸電阻<100mΩ,確保信號(hào)穩(wěn)定傳輸。該技術(shù)應(yīng)用于微流控電化學(xué)檢測(cè)芯片時(shí),可在10μL的反應(yīng)體系內(nèi)實(shí)現(xiàn)多參數(shù)同步檢測(cè),如pH、離子濃度與氧化還原電位,檢測(cè)精度均優(yōu)于±1%。公司優(yōu)化了鍵合設(shè)備的溫度與壓力控制算法,將鍵合缺陷率(如氣泡、邊緣溢膠)降至0.5%以下,支持大規(guī)模量產(chǎn)。此外,PET基板的可裁剪性與低成本特性,使得該芯片適用于一次性檢測(cè)試劑盒,單芯片成本較玻璃/硅基方案降低60%,為POCT設(shè)備廠商提供了高性價(jià)比的集成方案。
硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優(yōu)化:在硅片、LN(鈮酸鋰)、LT(鉭酸鋰)、藍(lán)寶石、石英等基板上加工金屬電極,需兼顧電學(xué)性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝,首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層,增強(qiáng)金屬與基板的附著力;然后旋涂光刻膠并曝光顯影,形成電極圖案;再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層,***通過**剝離得到完整電極結(jié)構(gòu)。電極線條寬度可控制在10-500μm,邊緣粗糙度<5μm,接觸電阻<1Ω?cm2。針對(duì)植入式醫(yī)療器件,表面采用聚乙二醇(PEG)涂層處理,通過硅烷偶聯(lián)劑共價(jià)鍵合,涂層厚度5-10nm,可將蛋白吸附量降低90%以上,炎癥反應(yīng)發(fā)生率下降60%。該技術(shù)應(yīng)用于神經(jīng)電極時(shí),16通道電極陣列的信號(hào)噪聲比>20dB,可穩(wěn)定記錄單個(gè)神經(jīng)元放電信號(hào)達(dá)3個(gè)月以上。在傳感器領(lǐng)域,硅基金電極對(duì)葡萄糖的檢測(cè)靈敏度達(dá)100μA?mM?1?cm?2,線性范圍0.01-10mM,適用于血糖監(jiān)測(cè)芯片。公司支持多種金屬材料(如鈦、鉑、銥)與基板的組合加工,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)電極導(dǎo)電性、耐腐蝕性的需求。公司開發(fā)的神經(jīng)電子芯片支持無線充電與通訊,可將電信號(hào)轉(zhuǎn)化為脈沖用于神經(jīng)調(diào)控替代。
MEMS制作工藝-太赫茲傳感器:
超材料(Metamaterial)是一種由周期性亞波長金屬諧振的單元陣列組成的人工復(fù)合型電磁材料,通過合理的設(shè)計(jì)單元結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)特殊的電磁特性,主要包括隱身、完美吸和負(fù)折射等特性。目前,隨著太赫茲技術(shù)的快速發(fā)展,太赫茲超材料器件已成為當(dāng)前科研的研究熱點(diǎn),在濾波器、吸收器、偏振器、太赫茲成像、光譜和生物傳感器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。
這項(xiàng)研究提出了一種全光學(xué)、端到端的衍射傳感器,用于快速探測(cè)隱藏結(jié)構(gòu)。這種衍射太赫茲傳感器具有獨(dú)特的架構(gòu),由一對(duì)編碼器和解碼器構(gòu)成的衍射網(wǎng)絡(luò)組成,每個(gè)網(wǎng)絡(luò)都承擔(dān)著結(jié)構(gòu)化照明和空間光譜編碼的獨(dú)特職責(zé),這種設(shè)計(jì)較為新穎。基于這種獨(dú)特的架構(gòu),研究人員展示了概念驗(yàn)證的隱藏缺陷探測(cè)傳感器。實(shí)驗(yàn)結(jié)果和分析成功證實(shí)了該單像素衍射太赫茲傳感器的可行性,該傳感器使用脈沖照明來識(shí)別測(cè)試樣品內(nèi)各種未知形狀和位置的隱藏缺陷,具有誤報(bào)率極低、無需圖像形成和采集以及數(shù)字處理步驟等特點(diǎn)。 MEMS微納米加工的未來發(fā)展是什么?湖南MEMS微納米加工廠家電話
EBL設(shè)備制備納米級(jí)超透鏡器件的原理是什么?發(fā)展MEMS微納米加工加工廠
微納結(jié)構(gòu)的多圖拼接測(cè)量技術(shù):針對(duì)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的完整表征,公司開發(fā)了多圖拼接測(cè)量技術(shù),結(jié)合SEM與圖像算法實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度的全景成像。首先通過自動(dòng)平移臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行網(wǎng)格掃描,獲取多幅局部SEM圖像(分辨率5nm,視野范圍10-100μm);然后利用特征點(diǎn)匹配算法(如SIFT/SURF)進(jìn)行圖像配準(zhǔn),誤差<±2nm/100μm;通過融合算法生成完整的拼接圖像,可覆蓋10mm×10mm區(qū)域。該技術(shù)應(yīng)用于微流控芯片的流道檢測(cè)時(shí),可快速識(shí)別全長10cm流道內(nèi)的微小缺陷(如5μm以下的毛刺或堵塞),檢測(cè)效率較單圖測(cè)量提升10倍。在納米壓印模具檢測(cè)中,多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)一致性,特征尺寸偏差<±1%。公司自主開發(fā)的拼接軟件支持實(shí)時(shí)預(yù)覽與缺陷標(biāo)記,輸出包含尺寸標(biāo)注、粗糙度分析的檢測(cè)報(bào)告,為微納加工的質(zhì)量控制提供了高效工具,尤其適用于復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)與大面積陣列的計(jì)量需求。發(fā)展MEMS微納米加工加工廠