MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面傳播，加上傳播速度極慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現在晶體基片表面上。于是當信號在器件的輸入和輸出端之間行進時，就容易對信號進行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去。完成其它技術難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術，實現的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。 公司開發的神經電子芯片支持無線充電與通訊，可將電信號轉化為脈沖用于神經調控替代。定制MEMS微納米加工的生物傳感器

微流控芯片的自動化檢測與統計分析：公司建立了基于機器視覺的微流控芯片自動化檢測系統，實現尺寸測量、缺陷識別與性能統計的全流程智能化。檢測設備配備6MPUSB3.0攝像頭與遠心光學鏡頭，配合步進電機平移臺（精度±1μm），可對芯片流道、微孔、電極等結構進行掃描。通過自研算法自動識別特征區域，測量參數包括高度（分辨率0.1μm）、周長、面積、寬度、半徑等，數據重復性誤差＜±0.5%。缺陷檢測模塊采用深度學習模型，可識別＜5μm的毛刺、缺口、氣泡等缺陷，準確率＞99%。檢測系統實時生成統計報告，包含CPK、均值、標準差等質量參數，支持SPC過程控制。在PDMS芯片檢測中，單芯片檢測時間＜2分鐘，效率較人工檢測提升20倍，良品率統計精度達0.1%。該系統已集成至量產產線，實現從原材料入庫到成品出廠的全鏈路質量追溯，為微流控芯片的標準化生產提供了可靠保障，尤其適用于高精度醫療檢測芯片與工業控制芯片的質量管控。天津MEMS微納米加工的微流控芯片MEMS是一種現代化的制造技術。

MEA柔性電極：MEMS工藝開發的MEA（微電極陣列）柔性電極，是腦機接口（BCI）與類***電生理研究的**技術載體。該電極采用超薄柔性基底材料（如聚酰亞胺或PDMS），厚度可精細控制在10-50微米范圍內，表面通過光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機接口領域，柔性電極通過微創手術植入大腦皮層，用于癲癇病灶的精細定位與閉環電刺激***。在類***研究中，電極陣列與腦類***共培養系統結合，可長期監測神經元網絡的自發電活動與突觸可塑性變化，為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數據。此外，公司開發的“仿生褶皺結構”柔性電極，通過力學匹配設計進一步降低植入后的機械應力，延長器件使用壽命至少5年以上。

神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用：神經電子芯片作為植入式醫療設備的**組件，對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發多通道神經電刺激SoC芯片，可實現無線充電與通訊功能，將控制信號轉化為精細電刺激脈沖，用于神經感知、調控及阻斷。以128像素視網膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對視網膜神經細胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復合涂層，經120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應，植入體壽命可達5年以上。目前該芯片已批量交付，由母公司中科先見推進至臨床前動物實驗階段，針對視網膜退行***變患者，可重建0.1-0.3的視力，為盲人復明提供了突破性解決方案。該技術突破了傳統植入設備的體積限制，芯片整體厚度＜200μm，兼容微創植入手術，推動神經調控技術向精細化、長期化發展。MEMS常見的產品-壓力傳感器。

MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型，而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合，利用各種慣性傳感器的特性，立體運動的檢測。組合慣性傳感器的一個被廣為熟悉的應用領域就是慣性導航，比如飛機/導彈飛行控制、姿態控制、偏航阻尼等控制應用、以及中程導彈制導、慣性GPS導航等制導應用。

慣性傳感器分為兩大類：一類是角速率陀螺；另一類是線加速度計。角速率陀螺又分為：機械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑氣浮角速率陀螺；撓性角速率陀螺；MEMS硅﹑石英角速率陀螺（含半球諧振角速率陀螺等）；光纖角速率陀螺；激光角速率陀螺等。線加速度計又分為：機械式線加速度計；撓性線加速度計；MEMS硅﹑石英線加速度計（含壓阻﹑壓電線加速度計）；石英撓性線加速度計等。 多圖拼接測量技術通過 SEM 圖像融合，實現大尺寸微納結構的亞微米級精度全景表征。陜西MEMS微納米加工按需定制

MEMS的繼電器與開關是什么？定制MEMS微納米加工的生物傳感器

微納結構的多圖拼接測量技術：針對大尺寸微納結構的完整表征，公司開發了多圖拼接測量技術，結合SEM與圖像算法實現亞微米級精度的全景成像。首先通過自動平移臺對樣品進行網格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點匹配算法（如SIFT/SURF）進行圖像配準，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區域。該技術應用于微流控芯片的流道檢測時，可快速識別全長10cm流道內的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍。在納米壓印模具檢測中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內的結構一致性，特征尺寸偏差＜±1%。公司自主開發的拼接軟件支持實時預覽與缺陷標記，輸出包含尺寸標注、粗糙度分析的檢測報告，為微納加工的質量控制提供了高效工具，尤其適用于復雜三維結構與大面積陣列的計量需求。定制MEMS微納米加工的生物傳感器