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可控硅基本參數
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可控硅企業商機

這個實驗告訴我們,要使晶閘管導通,一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后,松開按鈕開關,去掉觸發電壓,仍然維持導通狀態。晶閘管特點“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。那么,用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷,可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小于維持導通的最小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,那么,在電壓過零時,晶閘管會自行關斷。按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅可控硅和小功率可控硅三種。靜安區特點可控硅設計

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額定速態平均屯成系列共分為14個,如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志,如表1-6所示。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,管壓降(通態平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述,小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個電極,用硅半導體材料制成的管芯由上海優勢可控硅貨源充足反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。

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晶閘管特性單向晶聞管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來,通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,若采用KP5型,應接在3V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說,給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關S,小燈泡不亮,說明晶閘管沒有導通;再按一下按鈕開關SB,給控制極輸入一個觸發電壓,小燈泡亮了,說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什么啟發呢?

可控硅有多種分類方法。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調壓單元(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。

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IGT--門極觸發電流VGT--門極觸發電壓IH--維持電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率di/dt--通態電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--斷態重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱可控硅T。又由于可控硅**初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。大;塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。靜安區特點可控硅設計

可控硅的弱點:靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。靜安區特點可控硅設計

通態(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流: IH 是維持可控硅保持通態所必需的**小主電流,它與結溫有關,結溫越高, 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**: dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發的一個關鍵參數。此值超限將可能導致可控硅出現誤導通的現象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容。 對負載小,或電流持續時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅, 可在自由空間工作。 但大部分情況下,需要安裝在散熱器或散熱的支架上,為了減小熱阻,可控硅與散熱器間要涂上導熱硅脂。靜安區特點可控硅設計

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