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MOSFET的IDSS參數(shù)指的是什么？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-25

定義：VGS=0時漏源泄漏電流（通常μA級），芯技AEC-Q101器件IDSS<1μA@150℃

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簡介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費電子等多個領(lǐng)域。
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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    高溫影響：150℃時IDSS增103倍，芯技SiC MOSFET IDSS溫漂系數(shù)<0.1nA/℃

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    系統(tǒng)功耗：電池設(shè)備要求IDSS<100nA，芯技低功耗系列<10nA

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手   機(jī)： 18200846735

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