事通達（深圳）電子有限公司2025-04-22

肖特基二極管通過金屬-半導體結（Schottky barrier）實現單向導電，其低壓降特性源于以下原理： 載流子輸運機制：相比PN結的擴散-漂移復合過程，肖特基勢壘通過多數載流子（電子）的熱發射實現導通，無 minority carrier 存儲效應，因此正向壓降（VF）低至0.2-0.5V（硅基二極管為0.6-1.2V）。 高頻優勢：無反向恢復時間（trr≈0），適合1MHz以上高頻整流，如DC-DC轉換器的同步整流電路。 工程實踐： 低壓差應用：在LDO穩壓器輸出端，肖特基二極管可降低導通損耗（例如1A電流下功耗0.2W，硅基二極管為0.7W）。 材料選型：硅基肖特基二極管（Si-SBD）適用于低壓場景（<200V），碳化硅肖特基二極管（SiC-SBD）耐壓可達650V，適合PFC電路。 熱設計：雖VF低，但反向漏電流（Ir）隨溫度指數上升（如150℃時Ir可達mA級），需通過PCB熱阻控制（RθJA<40℃/W）避免熱失控。

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