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MOS管的漏極 - 源極擊穿電壓是如何產(chǎn)生的?

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深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-19

當(dāng)漏極 - 源極之間的電壓過(guò)高時(shí),會(huì)超出MOS管正常工作的范圍,從而導(dǎo)致?lián)舸┈F(xiàn)象。對(duì)于N溝道MOSFET,在強(qiáng)電場(chǎng)作用下,電子可能會(huì)獲得足夠的能量發(fā)生雪崩效應(yīng)或者齊納擊穿。雪崩擊穿是由于電子與晶格原子碰撞產(chǎn)生更多電子 - 空穴對(duì),形成雪崩式的導(dǎo)電過(guò)程;齊納擊穿則是由于半導(dǎo)體內(nèi)部強(qiáng)電場(chǎng)下能帶彎曲導(dǎo)致的。一旦發(fā)生擊穿,漏極電流會(huì)急劇增大,可能會(huì)損壞MOS管。

深圳市阿賽姆電子有限公司
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簡(jiǎn)介:阿賽姆是專注于電子行業(yè)的公司,生產(chǎn)高性價(jià)比EMC防護(hù)器件。有自己的EMC實(shí)驗(yàn)室,可以協(xié)助測(cè)試和整改。
簡(jiǎn)介: 阿賽姆是專注于電子行業(yè)的公司,生產(chǎn)高性價(jià)比EMC防護(hù)器件。有自己的EMC實(shí)驗(yàn)室,可以協(xié)助測(cè)試和整改。
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