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MOSFET的擊穿電壓BVDSS如何定義?

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-23

測試條件:ID=250μA時VDS值,芯技標注BVDSS@Tj=25/150℃

深圳市芯技科技有限公司
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簡介:深圳市芯技科技有限公司專注于保護器件、MOSFET和二三極管等產品,廣泛應用于消費電子等多個領域。
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保護器件2
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其余 2 條回答

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    正溫度系數:ΔBVDSS/ΔT≈0.1%/℃,芯技器件175℃時BVDSS升10%

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-27

    設計余量:實際工作電壓≤80% BVDSS,芯技車規產品預留30%冗余

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