東宇東庵（無錫）科技有限公司2025-05-17

殘余奧氏體控制：深冷處理直接轉(zhuǎn)變殘余奧氏體，效果更***（殘余奧氏體可降至 2% 以下），而多次回火（如 170℃×3 次）*能部分分解奧氏體。 碳化物析出：深冷處理促使馬氏體中析出超微細(xì)碳化物（納米級），而回火主要形成較大尺寸碳化物（如 17.39nm）。 適用場景：深冷處理更適合精密零件或高負(fù)荷工況，多次回火適用于對硬度要求稍低但需保留一定韌性的零件。

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