氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。性能指標：各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優良；機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結；光傳輸特性好；無毒。氮化鋁室溫下與水緩慢反應.可由鋁粉在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產物為白色到灰藍色粉末。大連球形氮化鋁粉體多少錢

目前AlN基片較常用的燒結工藝一般有5種，即熱壓燒結、無壓燒結、放電等離子燒結(SPS)、微波燒結和自蔓延燒結。熱壓燒結是在加熱粉體的同時進行加壓，利用通電產生的焦耳熱和加壓造成的塑性變形來促進燒結過程的進行。相對于無壓燒結來說，熱壓燒結的燒結溫度要低得多，而且燒結體致密，氣孔率低，但其加熱、冷卻所需時間較長，且只能制備形狀不太復雜的樣品。熱壓燒結是目前制備高熱導率致密化AlN陶瓷的主要工藝。由于AlN具有很強的共價性，故其在常壓燒結時需要的燒結溫度很高。在常壓燒結條件下，添加了Y2O3的AlN粉能產生液相燒結的溫度為1600℃以上，且燒結溫度要受AlN粒度、添加劑種類及添加劑的含量等因素的影響。常壓燒結的燒結溫度一般為1600～2000℃，保溫時間為2h。寧波高導熱氮化硼價格氮化鋁是高溫和高功率的電子器件的理想材料。

氮化鋁的熱傳導機理：熱導率，也即導熱系數，作為衡量物質導熱能力的量度，是導熱材料很重要的性質之一。AIN屬于共價化合物，其分子內部沒有可自由移動的電子，因此熱量的傳遞是以晶格振動這種形式來實現的，這種方式叫“聲子傳熱”。晶體內部溫度高的部分能量大，溫度低的部分能量小，能量通過聲子之間互相作用，從高能量向低能量發生傳遞，能量的遷移導致熱量的傳導。可以看到，把晶格內部的原子看成小球，這些小球之間彼此由彈簧（共價鍵）連接起來，從而每個原子的振動都要牽動周圍的原子，使振動以彈性波的形式在晶體中傳播。這種晶格振動產生的能量量子，即“聲子”，聲子相互作用使振動傳遞，從而使能量遷移，傳導熱量。

氮化鋁陶瓷具有優良的絕緣性、導熱性、耐高溫性、耐腐蝕性以及與硅的熱膨脹系數相匹配等優點，成為新一代大規模集成電路、半導體模塊電路及大功率器件的理想散熱和封裝材料。成型工藝是陶瓷制備的關鍵技術，是提高產品性能和降低生產成本的重要環節之一。隨著工業技術的高速發展，傳統的成型方法已難以滿足人們對陶瓷材料在性能和形狀方面的要求。陶瓷的濕法成型近年來成為研究的重點，因為濕法成型具有工藝簡單、生產效率高、成本低和可制備復雜形狀制品等優點，易于工業化推廣。濕法成型包括流延成型、注漿成型、注射成型和注凝成型等。純凈的AlN陶瓷可以用作透明陶瓷制造電子光學器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：提高氮化鋁粉末的純度，理想的氮化鋁粉料應含適量的氧。除氧以外，其他雜質元素如Si、Mn和Fe等，也能進入氮化鋁晶格，造成缺陷，降低氮化鋁的熱導率。雜質進入晶格后，使晶格發生局部畸變，由此產生應力作用，引起位錯、層錯等缺陷，增大聲子散射，故應該提高氮化鋁的粉末的純度。改進氮化鋁粉末合成方法，制備出粒徑在1μm以下，含氧量1%的高純粉末，是制備高導熱氮化鋁陶瓷的前提。此外，對含燒結助劑的氮化鋁粉末，引入適量的碳，在制備氮化鋁陶瓷的燒結過程中，于致密化之前，先對氮化鋁粉末表面的氧化物進行還原碳化，也能使氮化鋁陶瓷的熱導率提高。氮化鋁陶瓷成為新一代大規模集成電路、半導體模塊電路及大功率器件的理想散熱和封裝材料。臺州單晶氮化鋁粉體廠家

氮化鋁應用于陶瓷及耐火材料，氮化鋁可應用于結構陶瓷的燒結，制備出來的氮化鋁陶瓷。大連球形氮化鋁粉體多少錢

結晶氮化鋁：無色斜方品系結晶工業品為淡黃色或深黃色結晶。密度2. 398}!cm3。加熱到lUU℃分解釋放出氯化氫。溶于水、無水乙醇、，微溶于鹽酸，其水溶液呈酸性。易潮解，在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。由煤，堿石粉經沸騰焙燒，再經粉碎后與ir}酸反應.經澄清后，把清液濃縮，析出結晶，固液分離制得。主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑，造紙施膠沉淀劑，石汕1一業加氫裂化催化劑單體的原料。也用干羊毛的精制、染色。以及飲用水、含高氟水‘工業水的處理，含油污水凈化。大連球形氮化鋁粉體多少錢