本報訊 記者許子皓報道：近日，有報道稱，為了發(fā)展新一代功率半導體，韓國30家本土半導體企業(yè)以及大學和研究所組建碳化硅產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，以應對急速增長的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga2O3）等寬禁帶半導體所引領(lǐng)的新型功率半導體市場，從而形成韓國本土碳化硅生態(tài)圈。

　　據(jù)悉，聯(lián)盟內(nèi)的30家韓國功率半導體企業(yè)將共同參與材料、零部件、設備的開發(fā)，培育與碳化硅半導體相關(guān)的材料、零部件和設備企業(yè)的發(fā)展。其中，LX Semicon將負責研發(fā)碳化硅半導體，SK siltron則負責碳化硅襯底，Hana Materials和STI將研發(fā)碳化硅半導體零件和設備技術(shù)。

　　嘉泉大學、光云大學和國民大學將支持碳化硅半導體研發(fā)基礎(chǔ)設施，國立納米材料研究所和韓國陶瓷工程技術(shù)研究所將提供技術(shù)支持。

　　賽迪顧問集成電路中心高級咨詢顧問池憲念介紹，硅材料已經(jīng)受技術(shù)瓶頸和研制成本劇增等因素影響，正逼近極限。碳化硅由于其化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好、硬度高等特性，被稱為“理想器件”，也是當前寬禁帶半導體中應用場景最為廣范的材料。目前碳化硅器件在EV/HEV上應用主要是功率控制單元（PCU）、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等方面。全球各國都在爭相研究，進度突飛猛進，其中在半導體領(lǐng)域，在材料和元器件占據(jù)優(yōu)勢的日本更是下足了功夫。

　　除了日本企業(yè)以外，Cree、英飛凌、意法半導體、安森美等國際知名半導體企業(yè)也在全球范圍內(nèi)布局寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)，增長勢頭迅猛。目前寬禁帶功率半導體市場主要由德國、美國和日本的半導體公司主導。韓國多家企業(yè)此時組建碳化硅聯(lián)盟，目的是為了搶占本土寬禁帶功率半導體市場，以免受制于人。