AlN屬于共價化合物，自擴散系數小，燒結致密化非常困難，通常需要使用稀土金屬氧化物和堿土金屬氧化物作為燒結助劑來促進燒結，但仍需要1800℃以上的燒結溫度。近幾年，出于減少能耗、降低成本以及實現AlN與金屬漿料的共同燒結等因素考慮，人們開始注意AlN低溫燒結技術的研究。所謂低溫燒結是個相對概念，指的是將AlN的燒結溫度降低到1600℃至1700℃之間實現致密度高的燒結。一般認為，AlN表層的氧是在高溫下才開始向其晶格內部擴散。因此，低溫燒結另外一個潛在的有利影響是可以延緩高溫燒結時表層氧向AlN晶格內部擴散，增進后續熱處理過程中的排氧效果，有利于制備出高熱導率的陶瓷材料。低溫燒結的關鍵技術是選擇有效的燒結助劑。氮化鋁粉體的制備工藝還有自蔓延合成法、原位自反應合成法、等離子化學合成法及化學氣相沉淀法等。大連多孔氮化硼銷售公司

氮化鋁粉體的合成方法：直接氮化法：在高溫氮氣氛圍中，鋁粉直接與氮氣化合生產氮化鋁粉末，反應溫度一般在800℃~1200℃。反應式為：2Al＋Ｎ2→2AlN。該方法的缺點很明顯，在反應初期，鋁粉顆粒表面會逐漸生成氮化物膜，使氮氣難以進一步滲透，阻礙氮氣反應，致使產率較低；又由于鋁和氮氣之間的反應是強放熱反應，速度很快，造成AlN粉體自燒結，形成團聚，使得粉體顆粒粗化。碳熱還原法：將氧化鋁粉末和碳粉的混合粉末在高溫下（1400℃~1800℃）的流動氮氣中發生還原氮化反應生成AlN粉末。其反應式為：Al2O3＋3Ｃ＋Ｎ2→２AlN＋3CO。該方法的主要難點在于，對氧化鋁和碳的原料要求比較高，原料難以混合均勻，氮化溫度較高，合成時間較長，而且還需對過量的碳進行除碳處理，工藝復雜，制備成本較高。衢州導熱氮化鋁粉體商家氮化鋁陶瓷基板是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。

由于AlN基板不具有電導性，因此在用作大功率LED散熱基板之前必須對其表面進行金屬化和圖形化。但AlN與金屬是兩類物理化學性質完全不同的材料，兩者差異表現很為突出的就是形成化合物的成鍵方式不同。AlN是強共價鍵化合物，而金屬一般都表現為金屬鍵化合物，因此與其它化學鍵的化合物相比，在高溫下AlN與金屬的浸潤性較差，實現金屬化難度較高。因此，如何實現AlN基板表面金屬化和圖形化成為大功率LED散熱基板發展的一個至關重要問題。目前使用很較廣的AlN基板金屬化的方法主要有：機械連接法、厚膜法、活性金屬釬焊法、共燒法、薄膜法、直接覆銅法。

氮化鋁陶瓷低溫燒結助劑的選擇：在燒結過程中通過添加一些低熔點的燒結助劑，可以在氮化鋁燒結過程中產生液相，促進氮化鋁胚體的致密燒結。此外，一些燒結助劑除了能夠產生液相促進燒結，還能夠與氮化鋁晶格中的氧雜質反應，起到去除氧雜質凈化晶格的作用，從而提高AlN陶瓷的熱導性能。然而，燒結助劑不能盲目的添加，添加的量也要適宜，否則可能會產生不利的作用，燒結助劑會引入第二相，第二相的分布控制對熱導率影響較大。經研究，在選擇氮化鋁陶瓷低溫燒結助劑時應參照以下幾點：添加劑熔點較低，能夠在較低的燒結溫度下形成液相，通過液相促進燒結；添加劑能夠與Al2O3反應，去除氧雜質，凈化AlN晶格，進而提高熱導率；添加劑不與AlN反應，避免缺陷的產生；添加劑不會誘發AlN發生分解和氧化產生Al2O3和AlON，避免氮化鋁陶瓷熱導率急劇降低。氮化鋁是一種以共價鍵相連的物質，它有六角晶體結構，與硫化鋅、纖維鋅礦同形。

AIN氮化鋁陶瓷作為一種綜合性能優良的新型陶瓷材料，因其氮化鋁陶瓷具有優良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低的介電常數和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優良特性，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件封裝的理想材料。氮化鋁陶瓷可做成氮化鋁陶瓷基板，被較廣應用到散熱需求較高的領域，比如大功率LED模組，半導體等領域。高性能氮化鋁粉體是制備高熱導率氮化鋁陶瓷基片的關鍵，目前國外氮化鋁粉制造工藝已經相當成熟，商品化程度也很高。但掌握高性能氮化鋁粉生產技術的廠家并不多，主要分布在日本、德國和美國。氮化鋁粉末作為制備陶瓷成品的原料，其純度、粒度、氧含量以及其它雜質的含量都對后續成品的熱導性能、后續燒結，成型工藝有重要影響，是很終成品性能優異與否的基石。高溫自蔓延合成法的本質與鋁粉直接氮化法相同，但該法不需要在高溫下對Al粉進行氮化。衢州導熱氮化鋁粉體商家

氮化鋁的應用：應用于襯底材料，AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。大連多孔氮化硼銷售公司

氮化鋁粉體的制備工藝：高溫自蔓延合成法：高溫自蔓延合成法是直接氮化法的衍生方法，它是將Al粉在高壓氮氣中點燃后，利用Al和N2反應產生的熱量使反應自動維持，直到反應完全，其化學反應式為：2Al(s)+N2(g)→2AlN(s)；其優點是高溫自蔓延合成法的本質與鋁粉直接氮化法相同，但該法不需要在高溫下對Al粉進行氮化，只需在開始時將其點燃，故能耗低、生產效率高、成本低。其缺點是要獲得氮化完全的粉體，必需在較高的氮氣壓力下進行，直接影響了該法的工業化生產。化學氣相沉淀法：它是在遠高于理論反應溫度，使反應產物蒸氣形成很高的過飽和蒸氣壓，導致其自動凝聚成晶核，而后聚集成顆粒。大連多孔氮化硼銷售公司

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